Sumbangan 15 hb September 2024 – 1 hb Oktober 2024 Mengenai pengumpulan sumbangan

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых...

  • Main
  • Технология, конструкции и методы...

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. Часть 1

Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А., Под общей ред. чл.-корр. РАН проф. Чаплыгина Ю.А.
Sukakah anda buku ini?
Bagaimana kualiti fail ini?
Muat turun buku untuk menilai kualitinya
Bagaimana kualiti fail yang dimuat turun?
Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микро-электроники и полупроводниковых приборов, а также специалистов.;Гриф:Рекомендовано Учебно-методическим объединением вузов Российской Федерации по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по специальности 210104 (200100) «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Tahun:
2015
Edisi:
3
Penerbit:
Издательство "Лаборатория знаний" (ранее "БИНОМ. Лаборатория знаний")
Bahasa:
russian
Halaman:
400
ISBN 10:
5996329042
ISBN 13:
9785996329045
Nama siri:
Электроника
Fail:
PDF, 3.53 MB
IPFS:
CID , CID Blake2b
russian, 2015
Baca dalam Talian
Penukaran menjadi sedang dijalankan
Penukaran menjadi gagal

Istilah utama